Target performance requirements and preparation process

Source: Time:2020-01-03 10:22:04 views:

With the rapid development of the electronic information industry, the scientific application of thin films is becoming increasingly widespread. Sputtering is one of the main techniques for preparing thin film materials, and the source material for sputtering deposited films is the target. The thin film deposited by target sputtering has high density and good adhesion. Take a look at the performance requirements and preparation process of the target.
随着电子信息产业的飞速发展,薄膜科学应用日益广泛。溅射法是制备薄膜材料的主要技术之一,溅射沉积薄膜的源材料即为靶材。用靶材溅射沉积的薄膜致密度高,附着性好。靶材的性能要求与制备工艺看一下介绍。


    【靶材的性能要求与制备工艺】



    1、靶材的性能要求



    靶材制约着溅镀薄膜的物理、力学性能,影响镀膜质量,因而靶材质量评价较为严格,主要应满足如下要求;



    1)杂质含量低,纯度高。靶材的纯度影响薄膜的均匀性。



    2)高致密度。高致密度靶材具有导电、导热性好、强度高等优点,使用这种靶材镀膜,溅射功率小,成膜速率高,薄膜不易开裂,靶材使用寿命长,而且溅镀薄膜的电阻率低,透光率高。



    3)成分与组织结构均匀。靶材成分均匀是镀膜质量稳定的重要保证。



    4)晶粒尺寸细小。靶的晶粒尺寸越细小,溅镀薄膜的厚度分布越均匀,溅射速率越快。正因为靶材在性能上有上述诸多特殊要求,导致其制备工艺较为复杂。



    2、靶材的制备工艺



    目前制备靶材的方法主要有铸造法和粉末冶金法。



    铸造法;将一定成分配比的合金原料熔炼,再将合金熔液浇注于模具中,形成铸锭,最后经机械加工制成靶材。铸造法在真空中熔炼、铸造。常用的熔炼方法有真空感应熔炼、真空电弧熔炼和真空电子轰击熔炼等。其优点是靶材杂质含量(特别是气体杂质含量)低,密度高,可大型化;缺点是对熔点和密度相差较大的两种或两种以上金属,普通熔炼法难以获得成分均匀的合金靶材。



    粉末冶金法;将一定成分配比的合金原料熔炼,浇注成铸锭后再粉碎,将粉碎形成的粉末经等静压成形,再高温烧结,最终形成靶材。粉末冶金法的优点是靶材成分均匀;缺点是密度低,杂质含量高等。常用的粉末冶金工艺包括冷压、真空热压和热等静压等。